QReferate - referate pentru educatia ta.
Referatele noastre - sursa ta de inspiratie! Referate oferite gratuit, lucrari si proiecte cu imagini si grafice. Fiecare referat, proiect sau comentariu il poti downloada rapid si il poti folosi pentru temele tale de acasa.



AdministratieAlimentatieArta culturaAsistenta socialaAstronomie
BiologieChimieComunicareConstructiiCosmetica
DesenDiverseDreptEconomieEngleza
FilozofieFizicaFrancezaGeografieGermana
InformaticaIstorieLatinaManagementMarketing
MatematicaMecanicaMedicinaPedagogiePsihologie
RomanaStiinte politiceTransporturiTurism
Esti aici: Qreferat » Referate constructii

Metoda MOVPE pentru InGaAsP





Metoda MOVPE pentru InGaAsP


Aceasta metoda foloseste compusi metal organici pentru epitaxie din faza de vapori. Acesti compusi, fierb la temperaturi joase si au presiuni de vapori extrem de scazute. Schita instalatiei este prezentata in fig.7. Pe un suport de grafit la o temperatura in domeniul 550-7000oC sunt dispuse plachetele din InP in reactorul de epitaxie. Pentru Ga si In sunt folositi doi compusi metalorganici (MO) prin care trece gazul purtator (H2 sau He). Compusii MO utilizati sunt TMIn si TMGa.



Viteza de crestere poate fi cuprinsa intre 1 si 10 micrometru/ora, mult mai mica decat vitezele obisnuite, depinzand de viteza gazului, presiunea din reactor si presiunea de vapori a compusului MO. Aceasta valoare redusa permite controlul riguros al grosimii straturilor.

Metoda MOCVD a fost folosita cu succes pentru realizarea structurii cristaline a LED-urilor cu emisie in albastru.



Fig.7. MOVPE pentru realizarea uniu compus semiconductor ternar InGaAsP





Nu se poate descarca referatul
Acest referat nu se poate descarca

E posibil sa te intereseze alte referate despre:




Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site.
{ Home } { Contact } { Termeni si conditii }