Administratie | Alimentatie | Arta cultura | Asistenta sociala | Astronomie |
Biologie | Chimie | Comunicare | Constructii | Cosmetica |
Desen | Diverse | Drept | Economie | Engleza |
Filozofie | Fizica | Franceza | Geografie | Germana |
Informatica | Istorie | Latina | Management | Marketing |
Matematica | Mecanica | Medicina | Pedagogie | Psihologie |
Romana | Stiinte politice | Transporturi | Turism |
Procesul cu izolare cu oxid (LOCOS)
Abandoneaza ideea de a izola componentele prin jonctiuni blocate, inlocuind-o cu izolarea cu oxid. Prin aceasta creste densitatea de integrare deoarece distantele destul de mari necesare pana acum pentru a evita "atingerea" zonelor de sarcina spatiala pot fi micsorate.
Raportul de arie intre cea necesara si procesul SBC si cea necesara in procesul in care izolarea se face cu oxid pentru realizarea unui tranzistor npn este de ordinul 2-3, unitati ceea ce inseamna cel putin dublarea densitatii de integrare.
O varianta a acestui proces a primit numele de LOCOS (Locally Oxidised Silicon).
Insula izolata si structura care se obtine este prezentata in fig.8.
Fig.8. Izolare LOCOS; Structura tranzistorului npn in aceasta varianta tehnologica
Acest referat nu se poate descarca
E posibil sa te intereseze alte referate despre:
|
Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Referate similare:
|
Cursuri |
Cauta referat |