Metoda cristalizarii directe
(procesul de solidificare „normala”)
In aceasta metoda tot
materialul este topit initial si apoi racit gradat,
unidirectional; in fig.2 este prezentat un lingou orizontal
'strabatut' de la stanga la dreapta de un front de
solidificare, FS.
Se presupune ca:
• difuzia impuritatilor din lichid in
solid este neglijabila;
• coeficientul de segregatie este constant;
• modificarile de densitate in cursul
solidificarii sunt nesemnificative.
Fig.2. Determinarea concentratiei de
impuritati in lingoul semiconductor
in urma cristalizarii directe
