Metoda cristalizarii directe (procesul de solidificare „normala”)

Metoda cristalizarii directe (procesul de solidificare „normala”)

In aceasta metoda tot materialul este topit initial si apoi racit gradat, unidirectional; in fig.2 este prezentat un lingou orizontal 'strabatut' de la stanga la dreapta de un front de solidificare, FS.

Se presupune ca:

• difuzia impuritatilor din lichid in solid este neglijabila;

• coeficientul de segregatie este constant;

• modificarile de densitate in cursul solidificarii sunt nesemnificative.

Fig.2. Determinarea concentratiei de impuritati in lingoul semiconductor

in urma cristalizarii directe