Administratie | Alimentatie | Arta cultura | Asistenta sociala | Astronomie |
Biologie | Chimie | Comunicare | Constructii | Cosmetica |
Desen | Diverse | Drept | Economie | Engleza |
Filozofie | Fizica | Franceza | Geografie | Germana |
Informatica | Istorie | Latina | Management | Marketing |
Matematica | Mecanica | Medicina | Pedagogie | Psihologie |
Romana | Stiinte politice | Transporturi | Turism |
|
Metoda cristalizarii directe (procesul de solidificare „normala”)
In aceasta metoda tot materialul este topit initial si apoi racit gradat, unidirectional; in fig.2 este prezentat un lingou orizontal 'strabatut' de la stanga la dreapta de un front de solidificare, FS.
Se presupune ca:
• difuzia impuritatilor din lichid in solid este neglijabila;
• coeficientul de segregatie este constant;
• modificarile de densitate in cursul solidificarii sunt nesemnificative.
Fig.2. Determinarea concentratiei de impuritati in lingoul semiconductor
in urma cristalizarii directe
E posibil sa te intereseze alte referate despre: |
Copyright © 2021 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Referate similare:
|
Cursuri |
Cauta referat |