QReferate - referate pentru educatia ta.
Referatele noastre - sursa ta de inspiratie! Referate oferite gratuit, lucrari si proiecte cu imagini si grafice. Fiecare referat, proiect sau comentariu il poti downloada rapid si il poti folosi pentru temele tale de acasa.



AdministratieAlimentatieArta culturaAsistenta socialaAstronomie
BiologieChimieComunicareConstructiiCosmetica
DesenDiverseDreptEconomieEngleza
FilozofieFizicaFrancezaGeografieGermana
InformaticaIstorieLatinaManagementMarketing
MatematicaMecanicaMedicinaPedagogiePsihologie
RomanaStiinte politiceTransporturiTurism
Esti aici: Qreferat » Referate diverse

Tranzistoare








FUNTIONAREA TRANZISTORULUI P.N.P.


Jonctiunea E-B fiind polarizata direct curentul care circula prin jonctiune este determinat de purtatorii majoritari de sarcina (goluri) apare astfel un CURENT DE DIFUZIE al golurilor din E in B (Ipe). Aceste goluri devin in regiunea B purtatori minoritari in exces, deoarece B este foarte subtire numai un numar mic de goluri injectate de emitor se va recombina cu electronii majoritari din B, inlocuirea electronilor disparuti prin recombinare se face printr-un transport de electroni de la sursa de polarizare prin firul de conexiune al B. Acest transport de electroni formeaza curentul de recombinare.



Golurile provenite din E ramase nerecombinate difuzeaza pana in aproprierea jonctiunii C care este polarizata invers. Campul astfel creat favorizeaza trecerea purtatorilor minoritari.
In functionarea tranzistorului E genereaza goluri pe care C le strange. B are rolul de contro asupra curentului de C.
Pentru a reduce pierderea de goluri in B datorita recombinarilor pe langa o ingustare a latimii B aceasta se dopeaza si cu un numar mic de impuritati decat E si C astfel in B va fi un numar mai mic de electroni din aceasta cauza curentul de electroni majoritari care circula numai prin jonctiunea E are o valoare mult mai mare decat curentul de E. Jonctiunea C polarizata invers este strabatuta atat de golurile provenite din E si ramase nerecombinate in B cat si de curentii de camp dati de purtatorii minoritari generati pe cale termica.



ICB0- este un curent rezidual care reprezinta curentul de C si B cand E este in gol, adica el nu injecteaza purtatori de B
IE- „curentul de emitor”- este format din curentii de difuzie dati de purtatorii majoritari ai E ti B ce strabat jonctiunea E.
IE = Ipe + InB

IB- „curentul de baza” – este format din curentul de electroni minoritari ce trec prin jonctiunea E, cu curentul de recombinare (IR) ti curentul de camp al jonctiunii C (ICB0)


IB = InB + IR – ICB0

IC- „Curentul de colector” – este formata de curentul de goluri injectate din E ramase dupa recombinare ti curentul de camp al jonctiunii C

IC = Ipe +ICB0




Descarca referat

E posibil sa te intereseze alte referate despre:


Copyright © 2020 - Toate drepturile rezervate QReferat.ro Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site.
{ Home } { Contact } { Termeni si conditii }