QReferate - referate pentru educatia ta.
Referatele noastre - sursa ta de inspiratie! Referate oferite gratuit, lucrari si proiecte cu imagini si grafice. Fiecare referat, proiect sau comentariu il poti downloada rapid si il poti folosi pentru temele tale de acasa.



AdministratieAlimentatieArta culturaAsistenta socialaAstronomie
BiologieChimieComunicareConstructiiCosmetica
DesenDiverseDreptEconomieEngleza
FilozofieFizicaFrancezaGeografieGermana
InformaticaIstorieLatinaManagementMarketing
MatematicaMecanicaMedicinaPedagogiePsihologie
RomanaStiinte politiceTransporturiTurism
Esti aici: Qreferat » Referate fizica

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP








Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale :
1. Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
2. Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
3. Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

Figura 1. Tranzistori cu efect de camp
Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ( "+ " pe poarta si "– " pe sursa pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni.




Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata
Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+ " pe drena si "– " pe sursa).
ID = (UGS –VP) UDSK
unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are valoarea limita:
ID = (UGS –VP)2K/2

Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-sursa


Tranzistor Caracteristici Pret
BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5 0,5DM
IRF830 UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5 3DM
BUK455-60 UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04 3DM
IRF740 UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55 4DM
BUZ11 UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05 2,5DM
APLICATIE  "Comutator pentru becuri cu halogen "

Becul cu halogen da o lumina foarte buna cu un randament excelent. Ca orice bec cu filament in momentul conectarii absoarbe un curent de circa 10 ori mai mare decat curentul nominal, ceea ce determina scurtarea timpului de viata. Fiindca becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile, este util un circuit care sa le mareasca timpul de viata.




Descarca referat

E posibil sa te intereseze alte referate despre:


Copyright © 2020 - Toate drepturile rezervate QReferat.ro Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site.
{ Home } { Contact } { Termeni si conditii }