Administratie | Alimentatie | Arta cultura | Asistenta sociala | Astronomie |
Biologie | Chimie | Comunicare | Constructii | Cosmetica |
Desen | Diverse | Drept | Economie | Engleza |
Filozofie | Fizica | Franceza | Geografie | Germana |
Informatica | Istorie | Latina | Management | Marketing |
Matematica | Mecanica | Medicina | Pedagogie | Psihologie |
Romana | Stiinte politice | Transporturi | Turism |
Tranzistoare cu efect de camp
Tranzistoarele MOS cu grila de aluminiu si canal p, fig.7, pot fi realizate in procesul bipolar, prin adaugarea unei etape tehnologice suplimentare care sa defineasca zona de depunere a oxidului de poarta. Sursa si drena sunt formate prin difuzii de tip "baza". Dependenta parametrilor electrici ai tranzistorului MOS de conditiile de suprafata reclama un control mai strict din acest punct de vedere in comparatie cu controlul necesar in procesul bipolar care nu ar avea incluse astfel de realizari.
Fig.7 Tranzistor MOS in tehnologie bipolara
E posibil sa te intereseze alte referate despre: |
Copyright © 2024 - Toate drepturile rezervate QReferat.com | Folositi referatele, proiectele sau lucrarile afisate ca sursa de inspiratie. Va recomandam sa nu copiati textul, ci sa compuneti propriul referat pe baza referatelor de pe site. { Home } { Contact } { Termeni si conditii } |
Referate similare:
|
Cursuri |
Cauta referat |